硅片切割一般有什么難點
1、雜質線痕:由多晶硅錠內雜質引起,在切片過程中無法完全去除,導致硅片上產生相關線痕。
2、劃傷線痕:由砂漿中的SIC大顆?;蛏皾{結塊引起。切割過程中,SIC顆?!翱ā痹阡摼€與硅片之間,無法溢出,造成線痕。詞條
詞條說明
1.零件分析 (1)零件材料分析。該零件材料為DT4E,屬于硬度較低、剛度較差的材料。DT4E材料在切削過程中有如下特點:材料質地較軟、粘性較大;切削溫度高;切屑不易折斷,易粘結;刀具易磨損。 (2)零件結構分析。此零件是液壓閥中的重要的功能零件,孔系表面要有高的硬度、好的耐磨性、強的耐腐蝕性、高的表面質量,因此對零件的孔系表面進行鍍鎳處理。φ4.5H7、φ4.7H7尺寸為鍍鎳后尺寸,因要求表面
1. 零件結構 產品加工制造任務中,有一種電磁閥,在生產過程中遇到了按照傳統(tǒng)方法無法加工的深腔小孔難題——其深腔之深、小孔之小是以往沒有遇到的。該零件的加工難度非常大,如何保證加工質量讓我們頗費周折。 2. 加工難點分析 深腔小孔精度要求較高: 深腔為φ 16mm,深度達到了40mm;深腔內小孔為φ(0.5±0.02)mm,且小孔**部帶有凸臺形密封面,外圓φ 1mm,小孔直徑0.5mm、深度5m
硅片精密切割操作中會出現哪些問題硅片切割要求很高,而且切割機的技術水平非常優(yōu)秀,才能制作出**的作品。硅片切割本身并不是一件容易的事情,其中會有問題。我們在操作中要注意。1、雜質線痕:由多晶硅錠內雜質引起,在切片過程中無法完全去除,導致硅片上產生相關線痕。2、劃傷線痕:由砂漿中的SIC大顆?;蛏皾{結塊引起。切割過程中,SIC顆?!翱ā痹阡摼€與硅片之間,無法溢出,造成線痕。表現形式:包括整條線痕和半
激光切割當聚焦的激光束照到工件上時,照射區(qū)域會急劇升溫以使材料熔化或者氣化。一旦激光束穿透工件,切割過程就開始了:激光束沿著輪廓線移動,同時將材料熔化。通常會用一股噴射氣流將熔融物從切口吹走,在切割部分和板架間留下一條窄縫,窄縫幾乎與聚焦的激光束等寬?;鹧媲懈罨鹧媲懈钍乔懈畹吞间摃r采用的一種標準工藝,采用氧氣作為切割氣體。氧氣加壓到高達 6 bar 后吹進切口。在那里,被加熱的金屬與氧氣發(fā)生反應:
公司名: 北京華諾恒宇光能科技有限公司
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